창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DMG6968UDM-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DMG6968UDM | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Bond Wire 11/Nov/2011 | |
PCN 조립/원산지 | Assembly/Test Site Addition 01/Jun/2015 Plating Site Addition 29/Jul/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1572 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N 채널(이중) 공통 드레인 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.5A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 24m옴 @ 6.5A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 900mV @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.8nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 143pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 850mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-23-6 | |
공급 장치 패키지 | SOT-26 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | DMG6968UDM7 DMG6968UDMDITR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DMG6968UDM-7 | |
관련 링크 | DMG6968, DMG6968UDM-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | ASTMUPCFL-33-30.000MHZ-EY-E-T3 | 30MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 3.3V 36mA Enable/Disable | ASTMUPCFL-33-30.000MHZ-EY-E-T3.pdf | |
![]() | MCA12060D1692BP100 | RES SMD 16.9K OHM 0.1% 1/4W 1206 | MCA12060D1692BP100.pdf | |
![]() | PLTT0805Z1182QGT5 | RES SMD 11.8KOHM 0.02% 1/4W 0805 | PLTT0805Z1182QGT5.pdf | |
![]() | KRL35VB10RM5X7LL | KRL35VB10RM5X7LL UMITEDCHEMI-CON DIP | KRL35VB10RM5X7LL.pdf | |
![]() | SFM052T-5R2 | SFM052T-5R2 ORIGINAL SMD | SFM052T-5R2.pdf | |
![]() | TEA5706 | TEA5706 ST SMD or Through Hole | TEA5706.pdf | |
![]() | CXD1083 | CXD1083 SONY QFP | CXD1083.pdf | |
![]() | 1008HQ-7N8XJLB | 1008HQ-7N8XJLB CAITCIAGT SMD or Through Hole | 1008HQ-7N8XJLB.pdf | |
![]() | MI-S0C0360 | MI-S0C0360 MICRON LCC | MI-S0C0360.pdf | |
![]() | L2A0942(08-0202-01) | L2A0942(08-0202-01) LSI BGA | L2A0942(08-0202-01).pdf |