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Diodes Incorporated DMG6601LVT-7

DMG6601LVT-7
제조업체 부품 번호
DMG6601LVT-7
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT
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DMG6601LVT-7 매개 변수
내부 부품 번호EIS-DMG6601LVT-7
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서DMG6601LVT
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보RoHS Cert of Compliance
PCN 조립/원산지Assembly/Test Site Addition 01/Jun/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체Diodes Incorporated
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형N 및 P-Chan
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C3.8A, 2.5A
Rds On(최대) @ Id, Vgs55m옴 @ 3.4A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)1.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs12.3nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds422pF @ 15V
전력 - 최대850mW
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급 장치 패키지TSOT-26
표준 포장 3,000
다른 이름DMG6601LVT-7DITR
DMG6601LVT7
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)DMG6601LVT-7
관련 링크DMG6601, DMG6601LVT-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통
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