Diodes Incorporated DMG6601LVT-7
- 제조업체 부품 번호
- DMG6601LVT-7
- 제조업 자
- Diodes Incorporated
- 제품 카테고리
- FET - 어레이
- 간단한 설명
- MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT
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DMG6601LVT-7 가격 및 조달
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44550 조각
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창고: HONGKONG
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제조업체 표준 리드 타임: 6 주
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DMG6601LVT-7 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-DMG6601LVT-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DMG6601LVT | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 조립/원산지 | Assembly/Test Site Addition 01/Jun/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | N 및 P-Chan | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.8A, 2.5A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 55m옴 @ 3.4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12.3nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 422pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 850mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| 공급 장치 패키지 | TSOT-26 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | DMG6601LVT-7DITR DMG6601LVT7 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DMG6601LVT-7 | |
| 관련 링크 | DMG6601, DMG6601LVT-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
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