창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DMG6301UDW-13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DMG6301UDW | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 240mA | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4옴 @ 400mA, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 0.36nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 27.9pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 300mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-363 | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DMG6301UDW-13 | |
| 관련 링크 | DMG6301, DMG6301UDW-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | EFC6612R-A-TF | MOSFET 2N-CH 20V 23A EFCP | EFC6612R-A-TF.pdf | |
![]() | 03H8591 | 03H8591 IBM TQFP | 03H8591.pdf | |
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![]() | 25835100000 | 25835100000 BJB SMD or Through Hole | 25835100000.pdf | |
![]() | ST78C36CJ44-F | ST78C36CJ44-F EXAR SMD or Through Hole | ST78C36CJ44-F.pdf | |
![]() | BD82IBXM QMGS | BD82IBXM QMGS INTEL BGA | BD82IBXM QMGS.pdf | |
![]() | 2512 0.91R5% | 2512 0.91R5% KOA SMD or Through Hole | 2512 0.91R5%.pdf | |
![]() | MUS508 | MUS508 MITSUMI SOP | MUS508.pdf | |
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![]() | CR2032T3V | CR2032T3V RAVAC SMD or Through Hole | CR2032T3V.pdf | |
![]() | ROM-T138L | ROM-T138L ORIGINAL SIP | ROM-T138L.pdf |