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Diodes Incorporated DMG4N65CT

DMG4N65CT
제조업체 부품 번호
DMG4N65CT
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N CH 650V 4A TO220-3
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내부 부품 번호EIS-DMG4N65CT
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서DMG4N65CT
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보RoHS Cert of Compliance
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Diodes Incorporated
계열-
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)650V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C4A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs3옴 @ 2A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)5V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs13.5nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds900pF @ 25V
전력 - 최대2.19W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-220-3
공급 장치 패키지TO-220-3
표준 포장 50
다른 이름DMG4N65CTDI
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)DMG4N65CT
관련 링크DMG4N, DMG4N65CT 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통
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