홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 단일 » DMG4N60SK3-13

Diodes Incorporated DMG4N60SK3-13

DMG4N60SK3-13
제조업체 부품 번호
DMG4N60SK3-13
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET BVDSS: 501V 650V TO252 T&
데이터 시트 다운로드
다운로드
DMG4N60SK3-13 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 341.00352
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 DMG4N60SK3-13 재고가 있습니다. 우리는 Diodes Incorporated 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Diodes Incorporated 전자 부품 전문. DMG4N60SK3-13 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. DMG4N60SK3-13가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
DMG4N60SK3-13 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
DMG4N60SK3-13 매개 변수
내부 부품 번호EIS-DMG4N60SK3-13
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서DMG4N60SK3
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Diodes Incorporated
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)600V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C3.7A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs2.3옴 @ 2A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs14.3nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds532pF @ 25V
전력 - 최대48W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63
공급 장치 패키지TO-252
표준 포장 2,500
다른 이름DMG4N60SK3-13DITR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)DMG4N60SK3-13
관련 링크DMG4N60, DMG4N60SK3-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통
DMG4N60SK3-13 의 관련 제품
15pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) 250R05L150JV4T.pdf
150MHz LVDS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.6 V 32mA Enable/Disable ASVMPLV-150.000MHZ-L-T.pdf
RES SMD 1M OHM 5% 1/8W 0805 CR0805-JW-105ELF.pdf
RES 127 OHM 1/2W .5% AXIAL CMF55127R00DHR6.pdf
TMP37G AD SMD8 TMP37G.pdf
32905 CCT SMD or Through Hole 32905.pdf
3050-18R-0.5HTBF HYUPJIN CONNECTOR 3050-18R-0.5HTBF.pdf
SI3132V(SI-3132V) SANKEN IC SI3132V(SI-3132V).pdf
83141001IW2 CROUZET SMD or Through Hole 83141001IW2.pdf
MA321 / 6A Panasonic SOD-123 MA321 / 6A.pdf
TD3052-V-S-TR SSOUSA DIPSOP TD3052-V-S-TR.pdf
LM0026CJ NS DIP LM0026CJ.pdf