창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DMG4413LSS-13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DMG4413LSS | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Bond Wire 11/Nov/2011 | |
| PCN 기타 | Multiple Device Changes 29/Apr/2013 | |
| 카탈로그 페이지 | 1573 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10.5A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.5m옴 @ 13A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 46nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4965pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 1.7W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SOP | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | DMG4413LSS-13DITR DMG4413LSS13 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DMG4413LSS-13 | |
| 관련 링크 | DMG4413, DMG4413LSS-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | PFC3514QM-281K05B-00 | CHOKE COMMON MODE | PFC3514QM-281K05B-00.pdf | |
![]() | MAATCC0009 | RF Attenuator 31.5dB ±0.5dB 0Hz ~ 4GHz 50 Ohm 32-VFQFN Exposed Pad | MAATCC0009.pdf | |
![]() | PIO75-390LT | PIO75-390LT ORIGINAL SMD or Through Hole | PIO75-390LT.pdf | |
![]() | TCM320AC391DW | TCM320AC391DW TI IC | TCM320AC391DW.pdf | |
![]() | TC74HC375 | TC74HC375 TOS DIP16 | TC74HC375.pdf | |
![]() | 215R9JCGA13F | 215R9JCGA13F ATI BGA | 215R9JCGA13F.pdf | |
![]() | ROD-35V331M | ROD-35V331M ELNA DIP | ROD-35V331M.pdf | |
![]() | 93C6W6 | 93C6W6 ST SOP-8 | 93C6W6.pdf | |
![]() | 2N5149 | 2N5149 MOT CAN | 2N5149.pdf | |
![]() | UPD3013F1 | UPD3013F1 NEC BGA | UPD3013F1.pdf | |
![]() | USL1HR47MDD1TD | USL1HR47MDD1TD NICHICON DIP | USL1HR47MDD1TD.pdf |