Diodes Incorporated DMG1029SV-7

DMG1029SV-7
제조업체 부품 번호
DMG1029SV-7
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET N/P-CH 60V SOT563
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DMG1029SV-7 매개 변수
내부 부품 번호EIS-DMG1029SV-7
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서DMG1029SV
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보RoHS Cert of Compliance
PCN 설계/사양Bond Wire 11/Nov/2011
EDA/CAD 모델 Accelerated Designs에서 다운로드
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체Diodes Incorporated
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형N 및 P-Chan
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)60V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C500mA, 360mA
Rds On(최대) @ Id, Vgs1.7옴 @ 500mA, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs0.3nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds30pF @ 25V
전력 - 최대450mW
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SOT-563, SOT-666
공급 장치 패키지SOT-563
표준 포장 3,000
다른 이름DMG1029SV-7DITR
DMG1029SV7
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)DMG1029SV-7
관련 링크DMG102, DMG1029SV-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통
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