창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DMC3016LSD-13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DMC3016LSD | |
| PCN 조립/원산지 | Assembly/Test Site Addition 01/Jun/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | N 및 P-Chan | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8.2A, 6.2A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 16m옴 @ 12A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 25.1nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1415pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 1.2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | DMC3016LSD-13DITR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DMC3016LSD-13 | |
| 관련 링크 | DMC3016, DMC3016LSD-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | TV02W900B-HF | TVS DIODE 90VWM 146VC SOD123 | TV02W900B-HF.pdf | |
![]() | SI3430DV-T1-GE3 | MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-TSOP | SI3430DV-T1-GE3.pdf | |
![]() | HRG3216P-2611-D-T1 | RES SMD 2.61K OHM 0.5% 1W 1206 | HRG3216P-2611-D-T1.pdf | |
![]() | IS61LV256-15TL/ | IS61LV256-15TL/ ISSI SMD or Through Hole | IS61LV256-15TL/.pdf | |
![]() | SMBJ5.0A 5v | SMBJ5.0A 5v ORIGINAL SMB | SMBJ5.0A 5v.pdf | |
![]() | 733M2139 | 733M2139 ORIGINAL c | 733M2139.pdf | |
![]() | 2SD2150 CFR | 2SD2150 CFR ORIGINAL SOT-89 | 2SD2150 CFR.pdf | |
![]() | ADM8830ACPZ | ADM8830ACPZ ANA SMD or Through Hole | ADM8830ACPZ.pdf | |
![]() | STB80NF55L06T4 | STB80NF55L06T4 STM SMD or Through Hole | STB80NF55L06T4.pdf | |
![]() | 2R400SA-8 | 2R400SA-8 RUILONG SMD or Through Hole | 2R400SA-8.pdf | |
![]() | OZ-SH-105DM1P | OZ-SH-105DM1P OEG SMD or Through Hole | OZ-SH-105DM1P.pdf |