창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DMC25D1UVT-13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DMC25D1UVT | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | N 및 P-Chan | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V, 12V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 500mA, 3.9A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4옴 @ 400mA, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 0.9nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 27.6pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 1.3W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
공급 장치 패키지 | TSOT-26 | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | DMC25D1UVT-13DI | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DMC25D1UVT-13 | |
관련 링크 | DMC25D1, DMC25D1UVT-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | SM4T12AY | TVS DIODE 10VWM 21.7VC SMA | SM4T12AY.pdf | |
![]() | NSB8JT-E3/81 | DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB | NSB8JT-E3/81.pdf | |
![]() | EC103M1AP | SCR SENS GATE 600V 0.8A TO-92 | EC103M1AP.pdf | |
![]() | RCWE1210R300FKEA | RES SMD 0.3 OHM 1% 1W 1210 | RCWE1210R300FKEA.pdf | |
![]() | Y00241K43000V0L | RES 1.43K OHM .3W .005% RADIAL | Y00241K43000V0L.pdf | |
![]() | 575-750 | 575-750 ORIGINAL SMD or Through Hole | 575-750.pdf | |
![]() | X25165S8 | X25165S8 XICOR SOP8 | X25165S8.pdf | |
![]() | CS1534 | CS1534 CS TO-263 | CS1534.pdf | |
![]() | SF3G14 | SF3G14 TOSHIBA TO-66 | SF3G14.pdf | |
![]() | H5TQ2G43BFR-PBC | H5TQ2G43BFR-PBC HYNIX SMD or Through Hole | H5TQ2G43BFR-PBC.pdf | |
![]() | PIC12F509T-I/SM | PIC12F509T-I/SM MICROCHIP DIPSMD | PIC12F509T-I/SM.pdf | |
![]() | CESMS1J222M2525TA | CESMS1J222M2525TA N/A NULL | CESMS1J222M2525TA.pdf |