창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DMC1017UPD-13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DMC1017UPD | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | N 및 P-Chan | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 12V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9.5A, 6.9A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 17m옴 @ 11.8A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 35.4nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1787pF @ 6V | |
| 전력 - 최대 | 2.3W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PowerDI5060-8 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | DMC1017UPD-13DITR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DMC1017UPD-13 | |
| 관련 링크 | DMC1017, DMC1017UPD-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | GRM55D7U2J473JW31L | 0.047µF 630V 세라믹 커패시터 U2J 2220(5750 미터법) 0.224" L x 0.197" W(5.70mm x 5.00mm) | GRM55D7U2J473JW31L.pdf | |
![]() | 18251C474KAT2A | 0.47µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 1825(4564 미터법) 0.177" L x 0.252" W(4.50mm x 6.40mm) | 18251C474KAT2A.pdf | |
![]() | 590-00009-100 | 590-00009-100 GARMIN QFP | 590-00009-100.pdf | |
![]() | S60SC4M | S60SC4M ORG TO-3P | S60SC4M .pdf | |
![]() | 1210J 10R | 1210J 10R ORIGINAL SOT-23 | 1210J 10R.pdf | |
![]() | S-1111B17MC-NYCTFG | S-1111B17MC-NYCTFG SII/SEIKO NSC-1703AB | S-1111B17MC-NYCTFG.pdf | |
![]() | 76B.A.C | 76B.A.C ORIGINAL SOP8 | 76B.A.C.pdf | |
![]() | TC110581ECTTR | TC110581ECTTR MICROCHIP SOT25 | TC110581ECTTR.pdf | |
![]() | IRFH93010 | IRFH93010 IR SMD or Through Hole | IRFH93010.pdf | |
![]() | MAX17108ETI+T | MAX17108ETI+T MAXIM QFN | MAX17108ETI+T.pdf | |
![]() | EMP-775 | EMP-775 MYSON na | EMP-775.pdf | |
![]() | SN104951UF | SN104951UF TI SMD or Through Hole | SN104951UF.pdf |