Diodes Incorporated DI9952T

DI9952T
제조업체 부품 번호
DI9952T
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 8-SOIC
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내부 부품 번호EIS-DI9952T
무연 여부 / RoHS 준수 여부납 함유 / RoHS 미준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
카탈로그 페이지 1573 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체Diodes Incorporated
계열-
포장컷 테이프(CT)
부품 현황단종
FET 유형N 및 P-Chan
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C2.9A
Rds On(최대) @ Id, Vgs-
Id 기준 Vgs(th)(최대)-
게이트 전하(Qg) @ Vgs-
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds-
전력 - 최대2W
작동 온도-
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)
공급 장치 패키지8-SOP
표준 포장 1
다른 이름DI9952
DI9952CT
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)DI9952T
관련 링크DI99, DI9952T 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통
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