창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-DG636EN-T1-E4 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | DG636EN-T1-E4 | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | N A | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | DG636EN-T1-E4 | |
관련 링크 | DG636EN, DG636EN-T1-E4 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
![]() | VJ1206A102JBCAT4X | 1000pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.132" L x 0.063" W(3.35mm x 1.60mm) | VJ1206A102JBCAT4X.pdf | |
![]() | B37986G5822J054 | 8200pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.256" L x 0.197" W(6.50mm x 5.00mm) | B37986G5822J054.pdf | |
![]() | DPM2P47K-F | 0.47µF Film Capacitor 160V 250V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.024" L x 0.394" W (26.00mm x 10.00mm) | DPM2P47K-F.pdf | |
![]() | B78108S1123J9 | 12µH Unshielded Wirewound Inductor 650mA 550 mOhm Max Axial | B78108S1123J9.pdf | |
![]() | PMB2111 | PMB2111 Infineon SMD or Through Hole | PMB2111.pdf | |
![]() | P2V28S20BTP-75 | P2V28S20BTP-75 MIRA SMD or Through Hole | P2V28S20BTP-75.pdf | |
![]() | S1703B-25.000T | S1703B-25.000T Saronix SMD or Through Hole | S1703B-25.000T.pdf | |
![]() | IXP300/218S3EBSA21K | IXP300/218S3EBSA21K ATI BGA | IXP300/218S3EBSA21K.pdf | |
![]() | MAX7041CSA | MAX7041CSA MAXIM SOP | MAX7041CSA.pdf | |
![]() | LMF90CMJ/883QF | LMF90CMJ/883QF NS DIP | LMF90CMJ/883QF.pdf | |
![]() | TC35143F1 | TC35143F1 TOSH SMD or Through Hole | TC35143F1.pdf | |
![]() | CY71453-30JC | CY71453-30JC CYPRESS SMD or Through Hole | CY71453-30JC.pdf |