창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DF3S6.8ECT(TPL3) | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DF3S6.8ECT | |
| 종류 | 회로 보호 | |
| 제품군 | TVS - 다이오드 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 컷 테이프(CT) | |
| 유형 | 제너 | |
| 단방향 채널 | 2 | |
| 양방향 채널 | - | |
| 전압 - 역스탠드오프(통상) | 5V(최대) | |
| 전압 - 항복(최소) | 5.3V | |
| 전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | - | |
| 전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | - | |
| 전력 - 피크 펄스 | - | |
| 전력선 보호 | 없음 | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 정전 용량 @ 주파수 | 37pF @ 1MHz | |
| 작동 온도 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-101, SOT-883 | |
| 공급 장치 패키지 | CST3 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | DF3S6.8ECT(TPL3)CT | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DF3S6.8ECT(TPL3) | |
| 관련 링크 | DF3S6.8EC, DF3S6.8ECT(TPL3) 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0603D3R9DXXAP | 3.9pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D3R9DXXAP.pdf | |
![]() | FA-238 30.2500MB-C0 | 30.25MHz ±50ppm 수정 18pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | FA-238 30.2500MB-C0.pdf | |
![]() | HMC346C8TR | RF Attenuator 30dB ±2dB 0Hz ~ 8GHz 50 Ohm 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | HMC346C8TR.pdf | |
![]() | CD5EC510J03 | CD5EC510J03 CDE SMD or Through Hole | CD5EC510J03.pdf | |
![]() | ISS61C1024-15N | ISS61C1024-15N ISSI DIP | ISS61C1024-15N.pdf | |
![]() | B02B-XAKS-1-T(LF)(SN) | B02B-XAKS-1-T(LF)(SN) JST SMD or Through Hole | B02B-XAKS-1-T(LF)(SN).pdf | |
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![]() | IMN10T109 | IMN10T109 ROHM SOT23-6 | IMN10T109.pdf | |
![]() | 2SC2258-(RL) | 2SC2258-(RL) PANASONIC TO126 | 2SC2258-(RL).pdf | |
![]() | BUK9Y07-30B | BUK9Y07-30B NXP SMD or Through Hole | BUK9Y07-30B.pdf | |
![]() | ELAN-EM78M611DDM | ELAN-EM78M611DDM ELAN SMD or Through Hole | ELAN-EM78M611DDM.pdf |