창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DF3A6.8LFE(TE85,F) | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | DF3A6.8LFE(TE85,F) | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SOT423 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | DF3A6.8LFE(TE85,F) | |
| 관련 링크 | DF3A6.8LFE, DF3A6.8LFE(TE85,F) 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0805D4R7BLCAC | 4.7pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D4R7BLCAC.pdf | |
![]() | 416F36011AKR | 36MHz ±10ppm 수정 8pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F36011AKR.pdf | |
![]() | FBO16-12N | DIODE BRIDGE 1PHASE I4-PAC-5 | FBO16-12N.pdf | |
![]() | HK060333NJ-T | 33nH Unshielded Multilayer Inductor 110mA 1.47 Ohm Max 0201 (0603 Metric) | HK060333NJ-T.pdf | |
![]() | WSL2512R0100FEA | RES SMD 0.01 OHM 1% 1W 2512 | WSL2512R0100FEA.pdf | |
![]() | CRCW25122K67FKEG | RES SMD 2.67K OHM 1% 1W 2512 | CRCW25122K67FKEG.pdf | |
![]() | CPCP05R1000JE32 | RES 0.1 OHM 5W 5% RADIAL | CPCP05R1000JE32.pdf | |
![]() | DF17(2.0)-30DP-0.5V(57) | DF17(2.0)-30DP-0.5V(57) Hirose SMD or Through Hole | DF17(2.0)-30DP-0.5V(57).pdf | |
![]() | 46702.5NR | 46702.5NR LITTELFUSE SMD or Through Hole | 46702.5NR.pdf | |
![]() | RCLXT16716FE | RCLXT16716FE INTEL BGA | RCLXT16716FE.pdf | |
![]() | TC55V1001ASTI-85L | TC55V1001ASTI-85L TOS TSOP | TC55V1001ASTI-85L.pdf | |
![]() | LSC507807P | LSC507807P ORIGINAL DIP-16 | LSC507807P.pdf |