창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DF3A6.2FUTE85LF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DF3A6.2FU | |
제품 교육 모듈 | ESD Protection | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 다이오드 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
유형 | 제너 | |
단방향 채널 | 2 | |
양방향 채널 | - | |
전압 - 역스탠드오프(통상) | 3V | |
전압 - 항복(최소) | 5.8V | |
전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | - | |
전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | - | |
전력 - 피크 펄스 | - | |
전력선 보호 | 없음 | |
응용 제품 | 범용 | |
정전 용량 @ 주파수 | 55pF @ 1MHz | |
작동 온도 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-70, SOT-323 | |
공급 장치 패키지 | USM | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | DF3A6.2FU(TE85L,F) DF3A6.2FUTE85LFTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DF3A6.2FUTE85LF | |
관련 링크 | DF3A6.2FU, DF3A6.2FUTE85LF 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | S1812R-272K | 2.7µH Shielded Inductor 638mA 490 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | S1812R-272K.pdf | |
![]() | 9400-14T1999 | RELAY GEN PURP 1 FORM Z 120V | 9400-14T1999.pdf | |
RSMF1JTR120 | RES METAL OX 1W 0.12 OHM 5% AXL | RSMF1JTR120.pdf | ||
![]() | H218080 | H218080 LIT FUSE | H218080.pdf | |
![]() | FKBP204 | FKBP204 EIC/ SMD or Through Hole | FKBP204.pdf | |
![]() | RD1/6W2.2KJT 2.2K | RD1/6W2.2KJT 2.2K TY-OHM SMD or Through Hole | RD1/6W2.2KJT 2.2K.pdf | |
![]() | EL817BTA-F/EL | EL817BTA-F/EL EL 2011 | EL817BTA-F/EL.pdf | |
![]() | 811725ACST-TANDR | 811725ACST-TANDR LINFINITY SMD or Through Hole | 811725ACST-TANDR.pdf | |
![]() | DAN202K/T146 | DAN202K/T146 ROHM!!! SOT-23 | DAN202K/T146.pdf | |
![]() | MB86605PMT-G-BND | MB86605PMT-G-BND FUJ TQFP144 | MB86605PMT-G-BND.pdf | |
![]() | 194002MSTN | 194002MSTN AMD SMD or Through Hole | 194002MSTN.pdf | |
![]() | PC87820BVUM | PC87820BVUM NSC QFP-160 | PC87820BVUM.pdf |