창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DF2S8.2SC(TPL3) | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DF2S8.2SC | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 다이오드 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 컷 테이프(CT) | |
유형 | 제너 | |
단방향 채널 | 1 | |
양방향 채널 | - | |
전압 - 역스탠드오프(통상) | 7.7V | |
전압 - 항복(최소) | 6.5V | |
전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | - | |
전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | - | |
전력 - 피크 펄스 | - | |
전력선 보호 | 없음 | |
응용 제품 | 범용 | |
정전 용량 @ 주파수 | 10pF @ 1MHz | |
작동 온도 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 2-SMD, 무연 | |
공급 장치 패키지 | SC2 | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | DF2S8.2SC(TPL3)CT | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DF2S8.2SC(TPL3) | |
관련 링크 | DF2S8.2SC, DF2S8.2SC(TPL3) 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
B82559A302A13 | 3µH Shielded Wirewound Inductor 13A 4 mOhm Nonstandard | B82559A302A13.pdf | ||
4307R-335H | 3.3mH Shielded Molded Inductor 80mA 53 Ohm Max Axial | 4307R-335H.pdf | ||
CW01012R00JE733 | RES 12 OHM 13W 5% AXIAL | CW01012R00JE733.pdf | ||
MC711K4VFUE4 | MC711K4VFUE4 FREESCALE 05NOPB | MC711K4VFUE4.pdf | ||
LB1948M-E | LB1948M-E Sanyo MFP10S(225mil | LB1948M-E.pdf | ||
20EB66 | 20EB66 Curtis SMD or Through Hole | 20EB66.pdf | ||
R175SH25 | R175SH25 WESTCODE MODULE | R175SH25.pdf | ||
IDT08S60S | IDT08S60S ORIGINAL TO-220 | IDT08S60S.pdf | ||
AC573. | AC573. ON TSSOP20 | AC573..pdf | ||
LDEEA1120JB0N00 | LDEEA1120JB0N00 ARCOTRONICS SMD | LDEEA1120JB0N00.pdf | ||
MC9S12KT256CPV | MC9S12KT256CPV FREESCALE BGA | MC9S12KT256CPV.pdf | ||
NRC02Z0TRF | NRC02Z0TRF NIC SMD or Through Hole | NRC02Z0TRF.pdf |