창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DF2S8.2CT,L3F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DF2S8.2CT | |
제품 교육 모듈 | ESD Protection | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 다이오드 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
유형 | 제너 | |
단방향 채널 | 1 | |
양방향 채널 | - | |
전압 - 역스탠드오프(통상) | 6.5V | |
전압 - 항복(최소) | 7.7V | |
전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | - | |
전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | - | |
전력 - 피크 펄스 | - | |
전력선 보호 | 없음 | |
응용 제품 | 범용 | |
정전 용량 @ 주파수 | 20pF @ 1MHz | |
작동 온도 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOD-882 | |
공급 장치 패키지 | CST2 | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | DF2S8.2CT(TPL3) DF2S8.2CT(TPL3)TR DF2S8.2CT(TPL3)TR-ND DF2S8.2CT,L3F(B DF2S8.2CT,L3F(T DF2S8.2CTL3F(BTR DF2S8.2CTL3F(BTR-ND DF2S8.2CTL3FTR DF2S8.2CTTPL3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DF2S8.2CT,L3F | |
관련 링크 | DF2S8.2, DF2S8.2CT,L3F 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | 101C233U030BA2A | ALUM-SCREW TERMINAL | 101C233U030BA2A.pdf | |
564R20GAD39 | 3900pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 Z5U 방사형, 디스크 0.488" Dia(12.40mm) | 564R20GAD39.pdf | ||
![]() | KM2014-1 | KM2014-1 COMAY SMD or Through Hole | KM2014-1.pdf | |
![]() | EKMG100ETD470ME11D | EKMG100ETD470ME11D AUK NA | EKMG100ETD470ME11D.pdf | |
![]() | ST241 | ST241 ST SOP-8 | ST241.pdf | |
![]() | AK1502A-L | AK1502A-L AKM SMD or Through Hole | AK1502A-L.pdf | |
![]() | SMA0207MK250365R1%A2 | SMA0207MK250365R1%A2 VISHAY SMD or Through Hole | SMA0207MK250365R1%A2.pdf | |
![]() | PH243014G | PH243014G YCL SMD or Through Hole | PH243014G.pdf | |
![]() | CY7C128A-55SC | CY7C128A-55SC CYPRESS SOP | CY7C128A-55SC.pdf | |
![]() | MAX3110ECNI+G | MAX3110ECNI+G Maxim 28-Dip | MAX3110ECNI+G.pdf | |
![]() | ADP1713AUJ-3.3-RL7 | ADP1713AUJ-3.3-RL7 AD TSOT23-5 | ADP1713AUJ-3.3-RL7.pdf | |
![]() | SD1100C20L | SD1100C20L IR SMD or Through Hole | SD1100C20L.pdf |