창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DF2S7MSL,L3F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DF2S7MSL | |
| 종류 | 회로 보호 | |
| 제품군 | TVS - 다이오드 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 유형 | 제너 | |
| 단방향 채널 | 1 | |
| 양방향 채널 | - | |
| 전압 - 역스탠드오프(통상) | 5V(최대) | |
| 전압 - 항복(최소) | 6V | |
| 전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | 20V | |
| 전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | 3A(8/20µs) | |
| 전력 - 피크 펄스 | 60W | |
| 전력선 보호 | 없음 | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 정전 용량 @ 주파수 | 0.5pF @ 1MHz | |
| 작동 온도 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 2-SMD, 무연 | |
| 공급 장치 패키지 | SL2 | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | DF2S7MSL,L3F(B DF2S7MSL,L3F(T DF2S7MSLL3FTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DF2S7MSL,L3F | |
| 관련 링크 | DF2S7MS, DF2S7MSL,L3F 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
![]() | RNCF1206BKE2K98 | RES SMD 2.98K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RNCF1206BKE2K98.pdf | |
![]() | PE0805FRF7T0R005L | RES SMD 0.005 OHM 1% 1/3W 0805 | PE0805FRF7T0R005L.pdf | |
![]() | CW0101R200KE733 | RES 1.2 OHM 13W 10% AXIAL | CW0101R200KE733.pdf | |
![]() | DAS1153 | DAS1153 AD SMD or Through Hole | DAS1153.pdf | |
![]() | 27C256-15A | 27C256-15A Microchip PLCC | 27C256-15A.pdf | |
![]() | EMFK500CDA100MD90G+000 | EMFK500CDA100MD90G+000 NIPPON SMD or Through Hole | EMFK500CDA100MD90G+000.pdf | |
![]() | LPT676 M1-5-0-20 | LPT676 M1-5-0-20 OSRAM SMD | LPT676 M1-5-0-20.pdf | |
![]() | UA79M05CKCS | UA79M05CKCS TexasInstruments SMD or Through Hole | UA79M05CKCS.pdf | |
![]() | GT28F160B3T | GT28F160B3T INTEL IC | GT28F160B3T.pdf | |
![]() | 110RKI40PBF | 110RKI40PBF IR SMD or Through Hole | 110RKI40PBF.pdf | |
![]() | PZ3128AS10BP | PZ3128AS10BP ORIGINAL SMD or Through Hole | PZ3128AS10BP.pdf |