창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DF2S6.2FS,L3M | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DF2S6.2FS | |
| 제품 교육 모듈 | ESD Protection | |
| 종류 | 회로 보호 | |
| 제품군 | TVS - 다이오드 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 유형 | 제너 | |
| 단방향 채널 | 1 | |
| 양방향 채널 | - | |
| 전압 - 역스탠드오프(통상) | 5V | |
| 전압 - 항복(최소) | 5.8V | |
| 전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | - | |
| 전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | - | |
| 전력 - 피크 펄스 | - | |
| 전력선 보호 | 없음 | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 정전 용량 @ 주파수 | 32pF @ 1MHz | |
| 작동 온도 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 2-SMD, 평면 리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | fSC | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | DF2S6.2FS(TPL3) DF2S6.2FS,L3M(B DF2S6.2FS,L3M(T DF2S6.2FSL3MTR DF2S6.2FSTPL3 DF2S6.2FSTPL3TR DF2S6.2FSTPL3TR-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DF2S6.2FS,L3M | |
| 관련 링크 | DF2S6.2, DF2S6.2FS,L3M 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
![]() | 416F32012CDT | 32MHz ±10ppm 수정 18pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F32012CDT.pdf | |
| Y40668K18200T0R | RES SMD 8.182K OHM 1.2W 2512 | Y40668K18200T0R.pdf | ||
![]() | Z8623704PSC-1480 | Z8623704PSC-1480 ORIGINAL IC | Z8623704PSC-1480.pdf | |
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![]() | MB89195APF-G-600-BNDE1 | MB89195APF-G-600-BNDE1 FUJ SOP-28 | MB89195APF-G-600-BNDE1.pdf | |
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