창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DF2S6.2CT,L3F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DF2S6.2CT | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 다이오드 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
유형 | 제너 | |
단방향 채널 | 1 | |
양방향 채널 | - | |
전압 - 역스탠드오프(통상) | 5V | |
전압 - 항복(최소) | 5.8V | |
전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | - | |
전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | - | |
전력 - 피크 펄스 | - | |
전력선 보호 | 없음 | |
응용 제품 | 범용 | |
정전 용량 @ 주파수 | 32pF @ 1MHz | |
작동 온도 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOD-882 | |
공급 장치 패키지 | CST2 | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | DF2S6.2CT,L3F(B DF2S6.2CT,L3F(T DF2S6.2CTL3FTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DF2S6.2CT,L3F | |
관련 링크 | DF2S6.2, DF2S6.2CT,L3F 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | SSQ 12 /5K | FUSE BOARD MNT 12A 125VAC 86VDC | SSQ 12 /5K.pdf | |
![]() | PM0603-22NJ-RC | 22nH Unshielded Wirewound Inductor 700mA 190 mOhm 0603 (1608 Metric) | PM0603-22NJ-RC.pdf | |
![]() | CM453232-560KL | 56µH Unshielded Wirewound Inductor 135mA 5.5 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | CM453232-560KL.pdf | |
![]() | 21.145MHZ | 21.145MHZ DY SMD or Through Hole | 21.145MHZ.pdf | |
![]() | HZ6A-3(TA) | HZ6A-3(TA) ORIGINAL SMD or Through Hole | HZ6A-3(TA).pdf | |
![]() | SFC2311 | SFC2311 ORIGINAL CAN | SFC2311 .pdf | |
![]() | SDIN5E1-32G | SDIN5E1-32G SANDISK BGA | SDIN5E1-32G.pdf | |
![]() | D2150-S/HCFS | D2150-S/HCFS LanjianSot SMD or Through Hole | D2150-S/HCFS.pdf | |
![]() | NBJC337M001CRSB08 | NBJC337M001CRSB08 AVX SMD or Through Hole | NBJC337M001CRSB08.pdf | |
![]() | BB37796(ZC432520CFN)(B58289) | BB37796(ZC432520CFN)(B58289) MOT PLCC52 | BB37796(ZC432520CFN)(B58289).pdf | |
![]() | CR-122R10F | CR-122R10F ORIGINAL SMD or Through Hole | CR-122R10F.pdf | |
![]() | SiT8103AI-32-18X-000.FP000 | SiT8103AI-32-18X-000.FP000 SiTime SMD or Through Hole | SiT8103AI-32-18X-000.FP000.pdf |