창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DF2S16FS,L3M | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DF2S16FS | |
| 종류 | 회로 보호 | |
| 제품군 | TVS - 다이오드 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 유형 | 제너 | |
| 단방향 채널 | 1 | |
| 양방향 채널 | - | |
| 전압 - 역스탠드오프(통상) | 12V(최대) | |
| 전압 - 항복(최소) | 15.3V | |
| 전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | - | |
| 전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | - | |
| 전력 - 피크 펄스 | - | |
| 전력선 보호 | 없음 | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 정전 용량 @ 주파수 | 10pF @ 1MHz | |
| 작동 온도 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOD-923 | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-923 | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | DF2S16FS,L3M(B DF2S16FS,L3M(T DF2S16FSL3MTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DF2S16FS,L3M | |
| 관련 링크 | DF2S16F, DF2S16FS,L3M 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
![]() | MKP385516160JYM5T0 | 1.6µF Film Capacitor 550V 1600V (1.6kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial | MKP385516160JYM5T0.pdf | |
![]() | 416F370X3CDR | 37MHz ±15ppm 수정 18pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F370X3CDR.pdf | |
![]() | 1008R-473K | 47µH Unshielded Inductor 120mA 10 Ohm Max 2-SMD | 1008R-473K.pdf | |
![]() | EXB-D10C683J | RES ARRAY 8 RES 68K OHM 1206 | EXB-D10C683J.pdf | |
![]() | RA1847 | RA1847 ASAHI DIP | RA1847.pdf | |
![]() | 121505H | 121505H ORIGINAL SMD or Through Hole | 121505H.pdf | |
![]() | SBRF10150CT | SBRF10150CT SSG TO-220F | SBRF10150CT.pdf | |
![]() | 12062F105Z8BB0D | 12062F105Z8BB0D PHILIPS SMD or Through Hole | 12062F105Z8BB0D.pdf | |
![]() | EL827S1TA-V | EL827S1TA-V EVERLIG SMD or Through Hole | EL827S1TA-V.pdf | |
![]() | RP12-2412DA | RP12-2412DA RECOM DIP24 | RP12-2412DA.pdf | |
![]() | DAP222TR | DAP222TR ROHM SMD or Through Hole | DAP222TR.pdf | |
![]() | P90N55 | P90N55 ST TO-220 | P90N55.pdf |