창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DF2S12FU,H3F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DF2S12FU | |
| 제품 교육 모듈 | ESD Protection | |
| 종류 | 회로 보호 | |
| 제품군 | TVS - 다이오드 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 유형 | 제너 | |
| 단방향 채널 | 1 | |
| 양방향 채널 | - | |
| 전압 - 역스탠드오프(통상) | 9V | |
| 전압 - 항복(최소) | 11.4V | |
| 전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | - | |
| 전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | - | |
| 전력 - 피크 펄스 | - | |
| 전력선 보호 | 없음 | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 정전 용량 @ 주파수 | 15pF @ 1MHz | |
| 작동 온도 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-76, SOD-323 | |
| 공급 장치 패키지 | USC | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | DF2S12FU (TPH3,F) DF2S12FU(TPH3,F) DF2S12FU(TPH3F)TR DF2S12FU(TPH3F)TR-ND DF2S12FU,H3F(B DF2S12FU,H3F(T DF2S12FUH3FTR DF2S12FUTPH3F | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DF2S12FU,H3F | |
| 관련 링크 | DF2S12F, DF2S12FU,H3F 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
![]() | P6SMB350C | TVS DIODE 300VWM 506.1VC SMD | P6SMB350C.pdf | |
![]() | 445A23L30M00000 | 30MHz ±20ppm 수정 12pF 30옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445A23L30M00000.pdf | |
![]() | SIT8008ACB2-25S | 1MHz ~ 110MHz HCMOS, LVCMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.5V 4.5mA Standby | SIT8008ACB2-25S.pdf | |
![]() | PTN3360DBS,518 | PTN3360DBS,518 NXP Tape | PTN3360DBS,518.pdf | |
![]() | 74ABT20 | 74ABT20 PHILIPS TSSOP16 | 74ABT20.pdf | |
![]() | 10nf 100v 0805 | 10nf 100v 0805 HEC SMD or Through Hole | 10nf 100v 0805.pdf | |
![]() | RB50V220M | RB50V220M MER CAP | RB50V220M.pdf | |
![]() | MX1N6627 | MX1N6627 Microsemi SMD or Through Hole | MX1N6627.pdf | |
![]() | 194D227X0004E2T | 194D227X0004E2T VISHAY SMD or Through Hole | 194D227X0004E2T.pdf | |
![]() | 121PF | 121PF K SMD or Through Hole | 121PF.pdf | |
![]() | LC1D620Q7C | LC1D620Q7C ORIGINAL SMD or Through Hole | LC1D620Q7C.pdf | |
![]() | FCF859T | FCF859T PHI SOP | FCF859T.pdf |