창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DF2S12FS,L3M | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DF2S12FS | |
| 종류 | 회로 보호 | |
| 제품군 | TVS - 다이오드 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 유형 | 제너 | |
| 단방향 채널 | 1 | |
| 양방향 채널 | - | |
| 전압 - 역스탠드오프(통상) | 9V(최대) | |
| 전압 - 항복(최소) | 11.4V | |
| 전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | 18.5V | |
| 전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | 1A(8/20µs) | |
| 전력 - 피크 펄스 | - | |
| 전력선 보호 | 없음 | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 정전 용량 @ 주파수 | 15pF @ 1MHz | |
| 작동 온도 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOD-923 | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-923 | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | DF2S12FS,L3M(B DF2S12FS,L3M(T DF2S12FSL3MTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DF2S12FS,L3M | |
| 관련 링크 | DF2S12F, DF2S12FS,L3M 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
![]() | ERA-8ARW4421V | RES SMD 4.42KOHM 0.05% 1/4W 1206 | ERA-8ARW4421V.pdf | |
![]() | RG1005N-820-W-T5 | RES SMD 82 OHM 0.05% 1/16W 0402 | RG1005N-820-W-T5.pdf | |
![]() | MFR-25FRF52-14R7 | RES 14.7 OHM 1/4W 1% AXIAL | MFR-25FRF52-14R7.pdf | |
![]() | SD1000101 | SD1000101 AAINC SMD or Through Hole | SD1000101.pdf | |
![]() | DS1003H | DS1003H DALLAS DIP8 | DS1003H.pdf | |
![]() | MC7621DC | MC7621DC MOT DIP | MC7621DC.pdf | |
![]() | BU61581S3-110 | BU61581S3-110 DDC DIP | BU61581S3-110.pdf | |
![]() | LC863328B-52G3 | LC863328B-52G3 SANYO DIP-42 | LC863328B-52G3.pdf | |
![]() | SG5000DYB | SG5000DYB IMI SSOP28 | SG5000DYB.pdf | |
![]() | SIE854DF-T1 | SIE854DF-T1 VISHAY SMD or Through Hole | SIE854DF-T1.pdf | |
![]() | LTV-357T A B C D | LTV-357T A B C D LITE-ON SOP- SMD or Through Hole | LTV-357T A B C D.pdf | |
![]() | QT1010C5E | QT1010C5E ORIGINAL BGA-64 | QT1010C5E.pdf |