창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DF2S12FS,L3M | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DF2S12FS | |
| 종류 | 회로 보호 | |
| 제품군 | TVS - 다이오드 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 유형 | 제너 | |
| 단방향 채널 | 1 | |
| 양방향 채널 | - | |
| 전압 - 역스탠드오프(통상) | 9V(최대) | |
| 전압 - 항복(최소) | 11.4V | |
| 전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | 18.5V | |
| 전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | 1A(8/20µs) | |
| 전력 - 피크 펄스 | - | |
| 전력선 보호 | 없음 | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 정전 용량 @ 주파수 | 15pF @ 1MHz | |
| 작동 온도 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOD-923 | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-923 | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | DF2S12FS,L3M(B DF2S12FS,L3M(T DF2S12FSL3MTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DF2S12FS,L3M | |
| 관련 링크 | DF2S12F, DF2S12FS,L3M 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
![]() | S301RV308R2R7W | 3000F Supercap 2.7V Axial 0.2 mOhm @ 1kHz 1000 Hrs @ 65°C 2.390" Dia x 5.669" L (60.70mm x 144.00mm) | S301RV308R2R7W.pdf | |
![]() | 445A25F30M00000 | 30MHz ±20ppm 수정 24pF 30옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445A25F30M00000.pdf | |
![]() | 1N4005GPE-E3/73 | DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL | 1N4005GPE-E3/73.pdf | |
![]() | 30QWK20 | 30QWK20 ORIGINAL TO-220 | 30QWK20.pdf | |
![]() | IBM9352P | IBM9352P ORIGINAL DIP | IBM9352P.pdf | |
![]() | 50HVH56M | 50HVH56M SANYO DIP-2 | 50HVH56M.pdf | |
![]() | ECQV1H684JN3 | ECQV1H684JN3 N/A SMD or Through Hole | ECQV1H684JN3.pdf | |
![]() | MKP1837-322-162-D | MKP1837-322-162-D vishaycom/docs//pdf -5 -161 101IEC 60384-16FilmCapacitor | MKP1837-322-162-D.pdf | |
![]() | NSC810AV-4I | NSC810AV-4I NS PLCC | NSC810AV-4I.pdf | |
![]() | KM41C464-8 | KM41C464-8 ORIGINAL DIP | KM41C464-8.pdf | |
![]() | IPI50N10S3L-16 | IPI50N10S3L-16 INFINEON PG-TO262-3I2-PAK(T | IPI50N10S3L-16.pdf | |
![]() | SAF7849HL/M24557 | SAF7849HL/M24557 NXP SMD or Through Hole | SAF7849HL/M24557.pdf |