창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DF2S10FS,L3M | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DF2S10FS | |
| 종류 | 회로 보호 | |
| 제품군 | TVS - 다이오드 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 유형 | 제너 | |
| 단방향 채널 | 1 | |
| 양방향 채널 | - | |
| 전압 - 역스탠드오프(통상) | 8V(최대) | |
| 전압 - 항복(최소) | 9.4V | |
| 전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | - | |
| 전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | - | |
| 전력 - 피크 펄스 | - | |
| 전력선 보호 | 없음 | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 정전 용량 @ 주파수 | 16pF @ 1MHz | |
| 작동 온도 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOD-923 | |
| 공급 장치 패키지 | fSC(SOD-923) | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | DF2S10FS,L3M(B DF2S10FS,L3M(T DF2S10FSL3MTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DF2S10FS,L3M | |
| 관련 링크 | DF2S10F, DF2S10FS,L3M 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
![]() | B43540B2158M | 1500µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 60 mOhm @ 100Hz 10000 Hrs @ 85°C | B43540B2158M.pdf | |
![]() | MKP385447016JFP2B0 | 0.47µF Film Capacitor 110V 160V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.236" W (17.50mm x 6.00mm) | MKP385447016JFP2B0.pdf | |
![]() | IPP60R074C6XKSA1 | MOSFET N-CH 600V 57.7A TO220 | IPP60R074C6XKSA1.pdf | |
![]() | TNPW2512845RBEEG | RES SMD 845 OHM 0.1% 1/2W 2512 | TNPW2512845RBEEG.pdf | |
![]() | LM3224MX-ADJ | LM3224MX-ADJ NS SOP-8 | LM3224MX-ADJ.pdf | |
![]() | ST72323LDIE8/OLO/ | ST72323LDIE8/OLO/ ST SMD or Through Hole | ST72323LDIE8/OLO/.pdf | |
![]() | HD6433217A28P | HD6433217A28P HITACHI DIP | HD6433217A28P.pdf | |
![]() | MAS1117-ADJ | MAS1117-ADJ MAS S0P-223 | MAS1117-ADJ.pdf | |
![]() | MCZ33290EFR2G | MCZ33290EFR2G FREESCALE SOP-8 | MCZ33290EFR2G.pdf | |
![]() | FH31H-80S-0.5SH(42) | FH31H-80S-0.5SH(42) HRS SMD or Through Hole | FH31H-80S-0.5SH(42).pdf | |
![]() | PWB4812(M)D-3W | PWB4812(M)D-3W MORNSUN DIP24 | PWB4812(M)D-3W.pdf | |
![]() | PX502 | PX502 MT BGA | PX502.pdf |