Toshiba Semiconductor and Storage DF2B6.8M1ACT,L3F
- 제조업체 부품 번호
- DF2B6.8M1ACT,L3F
- 제조업 자
- Toshiba Semiconductor and Storage
- 제품 카테고리
- TVS - 다이오드
- 간단한 설명
- TVS DIODE 5VWM 20VC CST2
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DF2B6.8M1ACT,L3F 가격 및 조달
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DF2B6.8M1ACT,L3F 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-DF2B6.8M1ACT,L3F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DF2B6.8M1ACT | |
| 제품 교육 모듈 | ESD Protection | |
| 주요제품 | ESD Protection Diodes | |
| 종류 | 회로 보호 | |
| 제품군 | TVS - 다이오드 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 유형 | 스티어링(레일 투 레일) | |
| 단방향 채널 | - | |
| 양방향 채널 | 1 | |
| 전압 - 역스탠드오프(통상) | 5V(최대) | |
| 전압 - 항복(최소) | 6V | |
| 전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | 20V | |
| 전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | 2.5A(8/20µs) | |
| 전력 - 피크 펄스 | 50W | |
| 전력선 보호 | 없음 | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 정전 용량 @ 주파수 | 0.3pF @ 1MHz | |
| 작동 온도 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOD-882 | |
| 공급 장치 패키지 | CST2 | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | DF2B6.8M1ACT (TPL3) DF2B6.8M1ACT(TPL3) DF2B6.8M1ACT(TPL3)TR DF2B6.8M1ACT(TPL3)TR-ND DF2B6.8M1ACT,L3F(B DF2B6.8M1ACT,L3F(T DF2B68M1ACTTPL3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DF2B6.8M1ACT,L3F | |
| 관련 링크 | DF2B6.8M1, DF2B6.8M1ACT,L3F 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
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