창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DF2B6.8E,L3F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DF2B6.8E | |
| 종류 | 회로 보호 | |
| 제품군 | TVS - 다이오드 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 유형 | 스티어링(레일 투 레일) | |
| 단방향 채널 | - | |
| 양방향 채널 | 1 | |
| 전압 - 역스탠드오프(통상) | 5V(최대) | |
| 전압 - 항복(최소) | 5.8V | |
| 전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | - | |
| 전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | - | |
| 전력 - 피크 펄스 | - | |
| 전력선 보호 | 없음 | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 정전 용량 @ 주파수 | 15pF @ 1MHz | |
| 작동 온도 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-79, SOD-523 | |
| 공급 장치 패키지 | ESC | |
| 표준 포장 | 8,000 | |
| 다른 이름 | DF2B6.8E,L3F(A DF2B6.8E,L3F(B DF2B6.8EL3FTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DF2B6.8E,L3F | |
| 관련 링크 | DF2B6.8, DF2B6.8E,L3F 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
![]() | CGJ6L4X7T2H104K160AA | 0.10µF 500V 세라믹 커패시터 X7T 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | CGJ6L4X7T2H104K160AA.pdf | |
![]() | GRM31MR71H684KA88L | 0.68µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | GRM31MR71H684KA88L.pdf | |
![]() | CMF5024R000DHEB | RES 24 OHM 1/4W .5% AXIAL | CMF5024R000DHEB.pdf | |
![]() | MB88146APFV-G-BND-ER | MB88146APFV-G-BND-ER FUJ TSSOP | MB88146APFV-G-BND-ER.pdf | |
![]() | 50F040 | 50F040 ST PLCC | 50F040.pdf | |
![]() | LF-H86P | LF-H86P LANKOM SOP | LF-H86P.pdf | |
![]() | C5025 | C5025 SAM TO-3P | C5025.pdf | |
![]() | MX29LV160BTC 90 | MX29LV160BTC 90 MX-COM SMD or Through Hole | MX29LV160BTC 90.pdf | |
![]() | RDN050N20FU6 by RO | RDN050N20FU6 by RO ROHM SMD or Through Hole | RDN050N20FU6 by RO.pdf | |
![]() | KM44V16104CS-L6 | KM44V16104CS-L6 SAMSUNG TSSOP | KM44V16104CS-L6.pdf | |
![]() | LME49740NA/NOPB | LME49740NA/NOPB NSC SMD or Through Hole | LME49740NA/NOPB.pdf |