창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DF2B6.8ACT,L3F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DF2B6.8ACT | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 다이오드 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
유형 | 제너 | |
단방향 채널 | - | |
양방향 채널 | 1 | |
전압 - 역스탠드오프(통상) | 5V(최대) | |
전압 - 항복(최소) | 5.8V | |
전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | 7V(일반) | |
전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | 1A(8/20µs) | |
전력 - 피크 펄스 | - | |
전력선 보호 | 없음 | |
응용 제품 | 범용 | |
정전 용량 @ 주파수 | 9pF @ 1MHz | |
작동 온도 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOD-882 | |
공급 장치 패키지 | CST2 | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | DF2B6.8ACT,L3F(B DF2B6.8ACT,L3F(T DF2B6.8ACTL3FTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DF2B6.8ACT,L3F | |
관련 링크 | DF2B6.8A, DF2B6.8ACT,L3F 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
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