창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DF2B6.8ACT,L3F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DF2B6.8ACT | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 다이오드 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
유형 | 제너 | |
단방향 채널 | - | |
양방향 채널 | 1 | |
전압 - 역스탠드오프(통상) | 5V(최대) | |
전압 - 항복(최소) | 5.8V | |
전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | 7V(일반) | |
전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | 1A(8/20µs) | |
전력 - 피크 펄스 | - | |
전력선 보호 | 없음 | |
응용 제품 | 범용 | |
정전 용량 @ 주파수 | 9pF @ 1MHz | |
작동 온도 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOD-882 | |
공급 장치 패키지 | CST2 | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | DF2B6.8ACT,L3F(B DF2B6.8ACT,L3F(T DF2B6.8ACTL3FTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DF2B6.8ACT,L3F | |
관련 링크 | DF2B6.8A, DF2B6.8ACT,L3F 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | B41692A7687Q7 | 680µF 40V Aluminum Capacitors Axial, Can 170 mOhm @ 100Hz 5000 Hrs @ 125°C | B41692A7687Q7.pdf | |
![]() | 3AP 200-R | FUSE GLASS 200MA 250VAC 3AB 3AG | 3AP 200-R.pdf | |
![]() | A5KP26CA-G | TVS DIODE 26VWM 42.1VC R-6 | A5KP26CA-G.pdf | |
![]() | 403I35D22M11840 | 22.1184MHz ±30ppm 수정 18pF 60옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 403I35D22M11840.pdf | |
![]() | DTA123Y000A | DTA123Y000A ROHM SOT23 | DTA123Y000A.pdf | |
![]() | MB29LV002T-70PFTN | MB29LV002T-70PFTN FUJITSU TSOP | MB29LV002T-70PFTN.pdf | |
![]() | D42S4260V-10 | D42S4260V-10 NEC DIP | D42S4260V-10.pdf | |
![]() | 9651616711 | 9651616711 HARTING SMD or Through Hole | 9651616711.pdf | |
![]() | HD6301V1G04P | HD6301V1G04P HITCHIA SMD or Through Hole | HD6301V1G04P.pdf | |
![]() | 6127( | 6127( ORIGINAL SMD or Through Hole | 6127(.pdf | |
![]() | 74ABT899D/CD3868,5 | 74ABT899D/CD3868,5 NXP SOT136 | 74ABT899D/CD3868,5.pdf |