창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DF2B18FU,H3F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DF2B18FU | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 다이오드 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
유형 | 스티어링(레일 투 레일) | |
단방향 채널 | - | |
양방향 채널 | 1 | |
전압 - 역스탠드오프(통상) | 12V | |
전압 - 항복(최소) | 16.2V | |
전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | 33V | |
전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | 2.5A(8/20µs) | |
전력 - 피크 펄스 | 80W | |
전력선 보호 | 없음 | |
응용 제품 | 자동차 | |
정전 용량 @ 주파수 | 9pF @ 1MHz | |
작동 온도 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-76, SOD-323 | |
공급 장치 패키지 | USC | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | DF2B18FU,H3F(B DF2B18FU,H3F(T DF2B18FUH3FTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DF2B18FU,H3F | |
관련 링크 | DF2B18F, DF2B18FU,H3F 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | BAT54SDW-7-F | DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT363 | BAT54SDW-7-F.pdf | |
![]() | ERJ-T08J822V | RES SMD 8.2K OHM 5% 1/3W 1206 | ERJ-T08J822V.pdf | |
![]() | RC1218DK-0797K6L | RES SMD 97.6K OHM 1W 1812 WIDE | RC1218DK-0797K6L.pdf | |
![]() | TA305PA5K00JE | RES 5K OHM 5W 5% RADIAL | TA305PA5K00JE.pdf | |
![]() | P38AD | P38AD FUJITSU SOP | P38AD.pdf | |
![]() | JX-288W-D10 | JX-288W-D10 ORIGINAL SMD or Through Hole | JX-288W-D10.pdf | |
![]() | HLMP6000021 | HLMP6000021 HEWLETTPACKARD SMD or Through Hole | HLMP6000021.pdf | |
![]() | LES08C24L04 | LES08C24L04 BrightKing SOIC-08 | LES08C24L04.pdf | |
![]() | ZM472ADICT-ND | ZM472ADICT-ND VISHAY SMD | ZM472ADICT-ND.pdf | |
![]() | AD8342ACPZ-R2 | AD8342ACPZ-R2 ANALOGDEVICES SMD or Through Hole | AD8342ACPZ-R2.pdf | |
![]() | GBD201209PGA122N | GBD201209PGA122N Got SMD | GBD201209PGA122N.pdf | |
![]() | AD7828KN/+ | AD7828KN/+ ORIGINAL SMD or Through Hole | AD7828KN/+.pdf |