창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DF2636F20JV | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | DF2636F20JV | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | DF2636F20JV | |
| 관련 링크 | DF2636, DF2636F20JV 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | EKMH181VNN222MA50S | 2200µF 180V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 113 mOhm 2000 Hrs @ 105°C | EKMH181VNN222MA50S.pdf | |
![]() | ECS-285.938-CD-0386TR | 28.5938MHz ±20ppm 수정 12pF 30옴 -10°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | ECS-285.938-CD-0386TR.pdf | |
![]() | AST3TQ53-T-10.000MHZ-1-SW-T2 | 10MHz Clipped Sine Wave TCXO Oscillator Surface Mount 3.3V 6mA | AST3TQ53-T-10.000MHZ-1-SW-T2.pdf | |
![]() | LQW18AN75NG80D | 75nH Unshielded Wirewound Inductor 590mA 410 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | LQW18AN75NG80D.pdf | |
![]() | 4350llybq1 | 4350llybq1 ORIGINAL SMD or Through Hole | 4350llybq1.pdf | |
![]() | M48T08-100 | M48T08-100 ST DIP | M48T08-100.pdf | |
![]() | TA75S01F(TE85L.F) | TA75S01F(TE85L.F) TOSHIBA SMD or Through Hole | TA75S01F(TE85L.F).pdf | |
![]() | 11A2 | 11A2 ST SMD or Through Hole | 11A2.pdf | |
![]() | 74F543SCX(Fsc) | 74F543SCX(Fsc) Fairchild 24SOP(REEL) | 74F543SCX(Fsc).pdf | |
![]() | S3C4520A01-ECRO | S3C4520A01-ECRO SAMSUNG QFP | S3C4520A01-ECRO.pdf | |
![]() | C4520CH2J392JT7A0N | C4520CH2J392JT7A0N TDK SMD or Through Hole | C4520CH2J392JT7A0N.pdf | |
![]() | UPD43256AGU-122 | UPD43256AGU-122 NEC SOP | UPD43256AGU-122.pdf |