창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DF1510S-G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DF15005S~1510S-G | |
| PCN 설계/사양 | Lead Frame 07/Mar/2016 | |
| PCN 포장 | Label D/C Chg24/Mar/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 브리지 정류기 | |
| 제조업체 | Comchip Technology | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 단상 | |
| 전압 - 피크 역(최대) | 1000V | |
| 전류 - DC 순방향(If) | 1.5A | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 4-SMD, 갈매기날개형 | |
| 공급 장치 패키지 | DFS | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DF1510S-G | |
| 관련 링크 | DF151, DF1510S-G 데이터 시트, Comchip Technology 에이전트 유통 | |
![]() | CBR04C399A1GAC | 3.9pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | CBR04C399A1GAC.pdf | |
![]() | 2800107 | ARRESTER W/ARC CHOPPING SPARK | 2800107.pdf | |
![]() | LQH43CN6R8M03L | 6.8µH Unshielded Wirewound Inductor 720mA 200 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | LQH43CN6R8M03L.pdf | |
![]() | RT0603BRB071K13L | RES SMD 1.13KOHM 0.1% 1/10W 0603 | RT0603BRB071K13L.pdf | |
![]() | CRA12E08316R0JTR | RES ARRAY 4 RES 16 OHM 2012 | CRA12E08316R0JTR.pdf | |
![]() | 2SD2568-TLQ | 2SD2568-TLQ l SMD | 2SD2568-TLQ.pdf | |
![]() | MSTBA2.5/4G5.08 | MSTBA2.5/4G5.08 ORIGINAL SMD or Through Hole | MSTBA2.5/4G5.08.pdf | |
![]() | 29EE010/90-4C-PH/980228-0 | 29EE010/90-4C-PH/980228-0 SST DIP | 29EE010/90-4C-PH/980228-0.pdf | |
![]() | 195D475X9016V2T(V-4.7UF-16V) | 195D475X9016V2T(V-4.7UF-16V) VISHAY V | 195D475X9016V2T(V-4.7UF-16V).pdf | |
![]() | 206838-1 | 206838-1 ORIGINAL SMD or Through Hole | 206838-1.pdf | |
![]() | 42C60P5625 | 42C60P5625 LOGITECH DIP | 42C60P5625.pdf | |
![]() | VUO30-08-16NO3 | VUO30-08-16NO3 IXYS SMD or Through Hole | VUO30-08-16NO3.pdf |