창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DF10G7M1N,LF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DF10G7M1N | |
제품 교육 모듈 | ESD Protection | |
주요제품 | ESD Protection Diodes | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 다이오드 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
유형 | 스티어링(레일 투 레일) | |
단방향 채널 | - | |
양방향 채널 | 4 | |
전압 - 역스탠드오프(통상) | 5V(최대) | |
전압 - 항복(최소) | 6V | |
전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | 12V(일반) | |
전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | 1A(8/20µs) | |
전력 - 피크 펄스 | - | |
전력선 보호 | 있음 | |
응용 제품 | HDMI | |
정전 용량 @ 주파수 | 0.3pF @ 1MHz | |
작동 온도 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 10-UFDFN | |
공급 장치 패키지 | 10-DFN(2.5x1) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | DF10G7M1N,LF(D DF10G7M1NLFTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DF10G7M1N,LF | |
관련 링크 | DF10G7M, DF10G7M1N,LF 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | CGA2B2NP01H331J050BA | 330pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | CGA2B2NP01H331J050BA.pdf | |
![]() | K222J15C0GF53H5 | 2200pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) | K222J15C0GF53H5.pdf | |
![]() | 20SF21 | SEALED FUSE (20) | 20SF21.pdf | |
![]() | 1N2981B | DIODE ZENER 17V 10W DO213AA | 1N2981B.pdf | |
![]() | ERJ-S06F4123V | RES SMD 412K OHM 1% 1/8W 0805 | ERJ-S06F4123V.pdf | |
![]() | RG3216P-2742-B-T5 | RES SMD 27.4K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216P-2742-B-T5.pdf | |
![]() | ADS7817P | ADS7817P BB SOP-8 | ADS7817P.pdf | |
![]() | MLX90615ESG-DAA | MLX90615ESG-DAA MELEXIS TO46 | MLX90615ESG-DAA.pdf | |
![]() | FTLF8528P2BCV | FTLF8528P2BCV FINISAR SMD or Through Hole | FTLF8528P2BCV.pdf | |
![]() | HOA697N55 | HOA697N55 HONEYWELL DIP-5 | HOA697N55.pdf | |
![]() | AFL27012SX/ES | AFL27012SX/ES ORIGINAL SMD or Through Hole | AFL27012SX/ES.pdf | |
![]() | PVD2172NS-T | PVD2172NS-T ORIGINAL IR | PVD2172NS-T.pdf |