창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DF10G5M4N,LF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DF10G5M4N | |
| 주요제품 | ESD Protection TVS Diodes USB Type-C Data MUX and Power Delivery Switches Low Power Discrete Semiconductors for the Internet of Things (IoT) | |
| 종류 | 회로 보호 | |
| 제품군 | TVS - 다이오드 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 유형 | 제너 | |
| 단방향 채널 | - | |
| 양방향 채널 | 4 | |
| 전압 - 역스탠드오프(통상) | 3.6V(최대) | |
| 전압 - 항복(최소) | 4V | |
| 전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | 24V | |
| 전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | 2A(8/20µs) | |
| 전력 - 피크 펄스 | 30W | |
| 전력선 보호 | 없음 | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 정전 용량 @ 주파수 | 0.2pF @ 1MHz | |
| 작동 온도 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 10-UFDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 10-DFN(2.5x1) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | DF10G5M4N,LF(D DF10G5M4NLFTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DF10G5M4N,LF | |
| 관련 링크 | DF10G5M, DF10G5M4N,LF 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
![]() | 60P4.0-JMCS-G-B-TF(N | 60P4.0-JMCS-G-B-TF(N JST SMD or Through Hole | 60P4.0-JMCS-G-B-TF(N.pdf | |
![]() | LT3467IS6#TRPBF | LT3467IS6#TRPBF LT SOT163 | LT3467IS6#TRPBF.pdf | |
![]() | NIF-40+ | NIF-40+ MINI SMD or Through Hole | NIF-40+.pdf | |
![]() | TZB4R200AB10 | TZB4R200AB10 murata SMD | TZB4R200AB10.pdf | |
![]() | CS48DV6B | CS48DV6B ORIGINAL 128LQFP | CS48DV6B.pdf | |
![]() | UPD780306YGCM418EU-A | UPD780306YGCM418EU-A RENESAS SMD or Through Hole | UPD780306YGCM418EU-A.pdf | |
![]() | DE375-301N35 | DE375-301N35 DEL SMD or Through Hole | DE375-301N35.pdf | |
![]() | S3012B | S3012B AMCC BGA | S3012B.pdf | |
![]() | EVM32-060D | EVM32-060D FUJI SMD or Through Hole | EVM32-060D.pdf | |
![]() | MAX4800ACCM | MAX4800ACCM MAXIM QFP | MAX4800ACCM.pdf | |
![]() | B43508-F2567-M000 | B43508-F2567-M000 EPCOS NA | B43508-F2567-M000.pdf |