창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DEA1X3F271JA3B | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | High Volt Ceramic Caps 250V-6.3kV Part Numbering Safety Cert, High Volt Ceramic Catalog DEA1X3F271JA3B | |
카탈로그 페이지 | 2148 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 세라믹 커패시터 | |
제조업체 | Murata Electronics North America | |
계열 | DEA | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 270pF | |
허용 오차 | ±5% | |
전압 - 정격 | 3150V(3.15kV) | |
온도 계수 | SL | |
실장 유형 | 스루홀 | |
작동 온도 | -25°C ~ 125°C | |
응용 제품 | 범용 | |
등급 | - | |
패키지/케이스 | 방사형, 디스크 | |
크기/치수 | 0.551" Dia(14.00mm) | |
높이 - 장착(최대) | 0.669"(17.00mm) | |
두께(최대) | - | |
리드 간격 | 0.295"(7.50mm) | |
특징 | 고전압 | |
리드 유형 | 성형 리드 | |
표준 포장 | 200 | |
다른 이름 | 490-4200 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DEA1X3F271JA3B | |
관련 링크 | DEA1X3F2, DEA1X3F271JA3B 데이터 시트, Murata Electronics North America 에이전트 유통 |
ASTMHTV-12.000MHZ-XK-E-T3 | 12MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTV-12.000MHZ-XK-E-T3.pdf | ||
MLG1005S33NJTD25 | 33nH Unshielded Multilayer Inductor 300mA 900 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | MLG1005S33NJTD25.pdf | ||
MS3101E10SL-4S | MS3101E10SL-4S ITTCannon SMD or Through Hole | MS3101E10SL-4S.pdf | ||
IRF132 | IRF132 IR TO-3 | IRF132.pdf | ||
DSD-220L. | DSD-220L. DONGSUN SOP | DSD-220L..pdf | ||
FDN312P(XHZ) | FDN312P(XHZ) FAIRCHILD SOT23-6 | FDN312P(XHZ).pdf | ||
CL21B391KBNC | CL21B391KBNC SAMSUNG SMD or Through Hole | CL21B391KBNC.pdf | ||
LQLB2518T220M | LQLB2518T220M TAIYO 2518 | LQLB2518T220M.pdf | ||
AJ-BB | AJ-BB ORIGINAL QFN | AJ-BB.pdf | ||
MC4560 | MC4560 ORIGINAL SMD or Through Hole | MC4560.pdf | ||
KST1009F1 | KST1009F1 Sam SOT-23 | KST1009F1.pdf |