창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-DE2EKY332MB3BM02 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | DE2EKY332MB3BM02 | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | DE0907 | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | DE2EKY332MB3BM02 | |
관련 링크 | DE2EKY332, DE2EKY332MB3BM02 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
![]() | GRM0225C1E2R0BA03L | 2pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 01005(0402 미터법) 0.016" L x 0.008" W(0.40mm x 0.20mm) | GRM0225C1E2R0BA03L.pdf | |
![]() | C1206C332J2RACTU | 3300pF 200V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C1206C332J2RACTU.pdf | |
![]() | VJ0603D560KXXAP | 56pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D560KXXAP.pdf | |
![]() | SI4943CDY-T1-GE3 | MOSFET 2P-CH 20V 8A 8-SOIC | SI4943CDY-T1-GE3.pdf | |
![]() | RC-8-B | 250µH Unshielded Wirewound Inductor 1.25A 210 mOhm Radial | RC-8-B.pdf | |
![]() | S4924R-683H | 68µH Shielded Inductor 355mA 2.7 Ohm Max Nonstandard | S4924R-683H.pdf | |
![]() | Y1365V0216QQ9U | RES ARRAY 4 RES 8.06K OHM 8SOIC | Y1365V0216QQ9U.pdf | |
![]() | FTR-B3SA4.5Z | FTR-B3SA4.5Z fujitsu SMD or Through Hole | FTR-B3SA4.5Z.pdf | |
![]() | 13FR100 1% | 13FR100 1% OHMITE DIP3W100R1 | 13FR100 1%.pdf | |
![]() | BM10B-ASRS-TF | BM10B-ASRS-TF JST SMD or Through Hole | BM10B-ASRS-TF.pdf | |
![]() | 2214-Z795 | 2214-Z795 ORIGINAL SMD or Through Hole | 2214-Z795.pdf | |
![]() | CYONSTB2010-LBXC | CYONSTB2010-LBXC CYPRESS SMD or Through Hole | CYONSTB2010-LBXC.pdf |