창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DDZ9701T-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DDZ9689-9717T | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 14V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 150mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 50nA @ 10.6V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-79, SOD-523 | |
공급 장치 패키지 | SOD-523 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DDZ9701T-7 | |
관련 링크 | DDZ970, DDZ9701T-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
TN0106N3-G-P013 | MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3 | TN0106N3-G-P013.pdf | ||
RP73D2B1K0BTDF | RES SMD 1K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RP73D2B1K0BTDF.pdf | ||
DP11SVN15B20P | DP11S VER 15P NDET 20P M7*7MM | DP11SVN15B20P.pdf | ||
336K25EP0200 | 336K25EP0200 AVX SMD or Through Hole | 336K25EP0200.pdf | ||
MT58L256L18P1B-7.5 | MT58L256L18P1B-7.5 MICRON BGA | MT58L256L18P1B-7.5.pdf | ||
C2012C0G1H332J | C2012C0G1H332J TDK SMD | C2012C0G1H332J.pdf | ||
M5M51008DFP-70H. | M5M51008DFP-70H. MITS SOP | M5M51008DFP-70H..pdf | ||
BD3801FV-E2 | BD3801FV-E2 ROHM SSOP28 | BD3801FV-E2.pdf | ||
PR2010JK-072R2 | PR2010JK-072R2 ORIGINAL SMD or Through Hole | PR2010JK-072R2.pdf | ||
RU82566MM L98 | RU82566MM L98 INTEL BGA | RU82566MM L98.pdf | ||
LDC211G7414B-0 | LDC211G7414B-0 MURATA SMD or Through Hole | LDC211G7414B-0.pdf | ||
0402 1UH K | 0402 1UH K TASUND SMD or Through Hole | 0402 1UH K.pdf |