홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 » DDTC115GE-7

Diodes Incorporated DDTC115GE-7

DDTC115GE-7
제조업체 부품 번호
DDTC115GE-7
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
데이터 시트 다운로드
다운로드
DDTC115GE-7 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
N/A
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 DDTC115GE-7 재고가 있습니다. 우리는 Diodes Incorporated 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Diodes Incorporated 전자 부품 전문. DDTC115GE-7 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. DDTC115GE-7가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
DDTC115GE-7 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
DDTC115GE-7 매개 변수
내부 부품 번호EIS-DDTC115GE-7
무연 여부 / RoHS 준수 여부납 함유 / RoHS 미준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서DDTC1x4GE, DDTC115GE
PCN 설계/사양Green Encapsulate Change 09/July/2007
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
제조업체Diodes Incorporated
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황판매 중단
트랜지스터 유형NPN - 사전 바이어스됨
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)100mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)-
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)100k
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce82 @ 5mA, 5V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 10mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)500nA(ICBO)
주파수 - 트랜지션250MHz
전력 - 최대150mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SOT-523
공급 장치 패키지SOT-523
표준 포장 3,000
다른 이름DDTC115GEDITR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)DDTC115GE-7
관련 링크DDTC11, DDTC115GE-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통
DDTC115GE-7 의 관련 제품
OSC XO 3.3V 27MHZ OE SIT1602BIR13-33E-27.00000D.pdf
RES SMD 12K OHM 1% 1/20W 0201 AF0201FR-0712KL.pdf
RES SMD 9.31 OHM 1% 3/4W 2010 CRCW20109R31FNEF.pdf
RES 18K OHM 3W 5% RADIAL CPCF0318K00JE66.pdf
15UH-10*16 LY SMD or Through Hole 15UH-10*16.pdf
NIMx ORIGINAL SOT-23 NIMx.pdf
LTC7545CSW LINEAR SOP LTC7545CSW.pdf
UC2852DW N/A N A UC2852DW.pdf
TEA6360TV2 ph SMD or Through Hole TEA6360TV2.pdf
2SB280 ORIGINAL CAN 2SB280.pdf
RH5VA47CA-T ORIGINAL TO89 RH5VA47CA-T.pdf
N760053 NSC SOP N760053.pdf