창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DDTC115GE-7-F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DDTC1x4GE, DDTC115GE | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Green Encapsulate Change 09/July/2007 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN - 사전 바이어스됨 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | - | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 100k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 82 @ 5mA, 5V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA(ICBO) | |
| 주파수 - 트랜지션 | 250MHz | |
| 전력 - 최대 | 150mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-523 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-523 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | DDTC115GE-FDITR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DDTC115GE-7-F | |
| 관련 링크 | DDTC115, DDTC115GE-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | RT1206FRD07820KL | RES SMD 820K OHM 1% 1/4W 1206 | RT1206FRD07820KL.pdf | |
![]() | TNPW040268K0BEED | RES SMD 68K OHM 0.1% 1/16W 0402 | TNPW040268K0BEED.pdf | |
![]() | HVS1206-15MJ8 | RES SMD 15M OHM 5% 1/4W 1206 | HVS1206-15MJ8.pdf | |
![]() | Y0786115R540T9L | RES 115.54 OHM 0.6W 0.01% RADIAL | Y0786115R540T9L.pdf | |
![]() | TLP582W | TLP582W TOS DIP SOP5 | TLP582W.pdf | |
![]() | B3P-VH | B3P-VH JST SMD or Through Hole | B3P-VH.pdf | |
![]() | SD133 B1 0004Y | SD133 B1 0004Y CMD SMD or Through Hole | SD133 B1 0004Y.pdf | |
![]() | SA626DK/01,118 | SA626DK/01,118 NXP/PHI SSOP20 | SA626DK/01,118.pdf | |
![]() | GE10003 | GE10003 PHI TO-3 | GE10003.pdf | |
![]() | GD15N41CL | GD15N41CL ON TO-252 | GD15N41CL.pdf | |
![]() | W134GH | W134GH WORKS SSOP | W134GH.pdf | |
![]() | MC9S12Q128MFAE8 | MC9S12Q128MFAE8 FREESCALE LQFP-48 | MC9S12Q128MFAE8.pdf |