홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 » DDTC113ZE-7

Diodes Incorporated DDTC113ZE-7

DDTC113ZE-7
제조업체 부품 번호
DDTC113ZE-7
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
데이터 시트 다운로드
다운로드
DDTC113ZE-7 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
N/A
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 DDTC113ZE-7 재고가 있습니다. 우리는 Diodes Incorporated 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Diodes Incorporated 전자 부품 전문. DDTC113ZE-7 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. DDTC113ZE-7가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
DDTC113ZE-7 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
DDTC113ZE-7 매개 변수
내부 부품 번호EIS-DDTC113ZE-7
무연 여부 / RoHS 준수 여부납 함유 / RoHS 미준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서DDTC - R1 unequal to R2 Series - E
PCN 설계/사양Green Encapsulate Change 09/July/2007
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
제조업체Diodes Incorporated
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황판매 중단
트랜지스터 유형NPN - 사전 바이어스됨
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)100mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)1k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)10k
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce33 @ 5mA, 5V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 10mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)500nA
주파수 - 트랜지션250MHz
전력 - 최대150mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SOT-523
공급 장치 패키지SOT-523
표준 포장 3,000
다른 이름DDTC113ZEDITR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)DDTC113ZE-7
관련 링크DDTC11, DDTC113ZE-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통
DDTC113ZE-7 의 관련 제품
18.9375MHz ±30ppm 수정 18pF 120옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) CS325-18.9375MABJ-UT.pdf
RES SMD 300 OHM 5% 5W 5329 SMW5300RJT.pdf
RD6C NEC DO-4 RD6C.pdf
TCSCS1V474AAR ORIGINAL SOT-A TCSCS1V474AAR.pdf
SR3040LPT ORIGINAL TO-3P SR3040LPT.pdf
AS7C3256-12JI ASLLIANCE TSOP AS7C3256-12JI.pdf
2SA1953 TOSHIBA SMD or Through Hole 2SA1953.pdf
SYF-0J106M-RP(P-10UF-6.3V) LL P SYF-0J106M-RP(P-10UF-6.3V).pdf
COM117HVT IR SMD or Through Hole COM117HVT.pdf
HI-548 MAXIM CDIP-16 HI-548.pdf
SG645PCGB (25.0MHZ) EPSON 4-SOP SG645PCGB (25.0MHZ).pdf
MC4AM N/A QFN6 MC4AM.pdf