창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DDTB133HC-7-F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DDTB (zzzz) C | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Green Encapsulate 15/May/2008 Bond Wire 11/Nov/2011 | |
PCN 기타 | Copper Bond Wire and Wafer Source 07/Nov/2013 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | PNP - 사전 바이어스됨 | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 500mA | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
저항기 - 베이스(R1)(옴) | 3.3k | |
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 10k | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 56 @ 50mA, 5V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
주파수 - 트랜지션 | 200MHz | |
전력 - 최대 | 200mW | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DDTB133HC-7-F | |
관련 링크 | DDTB133, DDTB133HC-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | GRM033R61A472MA01J | 4700pF 10V 세라믹 커패시터 X5R 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM033R61A472MA01J.pdf | |
![]() | VJ1808A430KBRAT4X | 43pF 1500V(1.5kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1808(4520 미터법) 0.186" L x 0.080" W(4.72mm x 2.03mm) | VJ1808A430KBRAT4X.pdf | |
![]() | BCM847DS,115 | TRANS 2NPN 45V 0.1A 6TSOP | BCM847DS,115.pdf | |
![]() | RG2012P-7150-B-T5 | RES SMD 715 OHM 0.1% 1/8W 0805 | RG2012P-7150-B-T5.pdf | |
![]() | 4114R-2-473LF | RES ARRAY 13 RES 47K OHM 14DIP | 4114R-2-473LF.pdf | |
![]() | R60MF2330CK6AJ | R60MF2330CK6AJ KEMET Call | R60MF2330CK6AJ.pdf | |
![]() | MST3586-10 | MST3586-10 MST QFP | MST3586-10.pdf | |
![]() | CL10C561FB8NNNC | CL10C561FB8NNNC SAMSUNG SMD | CL10C561FB8NNNC.pdf | |
![]() | 331FDAAU | 331FDAAU SIPEX MSOP8 | 331FDAAU.pdf | |
![]() | ADM292JRN | ADM292JRN AD SOP | ADM292JRN.pdf | |
![]() | CV3759B | CV3759B PHILIPS QFP | CV3759B.pdf |