창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DDTB123YU-7-F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DDTB (zzzz) UDDTBU | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Bond Wire 11/Nov/2011 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | PNP - 사전 바이어스됨 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 500mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 2.2k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 10k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 56 @ 50mA, 5V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
| 주파수 - 트랜지션 | 200MHz | |
| 전력 - 최대 | 200mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-70, SOT-323 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-323 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | DDTB123YU-7-F-ND DDTB123YU-7-FDITR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DDTB123YU-7-F | |
| 관련 링크 | DDTB123, DDTB123YU-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | 4922R-821J | 820nH Unshielded Wirewound Inductor 5.6A 12 mOhm Max 2-SMD | 4922R-821J.pdf | |
![]() | MSP10A0310K0FEJ | RES ARRAY 5 RES 10K OHM 10SIP | MSP10A0310K0FEJ.pdf | |
![]() | Y17491K50000B9L | RES 1.5K OHM .3W .1% AXIAL | Y17491K50000B9L.pdf | |
![]() | TFKU3750BM | TFKU3750BM ORIGINAL PLCC | TFKU3750BM.pdf | |
![]() | 1984086 | 1984086 PHOENIX/WSI SMD or Through Hole | 1984086.pdf | |
![]() | MLL400 | MLL400 ML DIP18 | MLL400.pdf | |
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![]() | S-80827CNMA-B8MT1G | S-80827CNMA-B8MT1G SIISeiko SMD or Through Hole | S-80827CNMA-B8MT1G.pdf | |
![]() | TCFGA0J226M8R(6.3V22UF) | TCFGA0J226M8R(6.3V22UF) ROHM A | TCFGA0J226M8R(6.3V22UF).pdf | |
![]() | OPA691U | OPA691U AD SOP8 | OPA691U.pdf | |
![]() | APC77166-F | APC77166-F BEL DIP16 | APC77166-F.pdf |