창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DDTB123EU-7-F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DDTB (zzzz) UDDTBU | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Bond Wire 11/Nov/2011 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | PNP - 사전 바이어스됨 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 500mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 2.2k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 2.2k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 39 @ 50mA, 5V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
| 주파수 - 트랜지션 | 200MHz | |
| 전력 - 최대 | 200mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-70, SOT-323 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-323 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DDTB123EU-7-F | |
| 관련 링크 | DDTB123, DDTB123EU-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | PHDR-12VS | PHDR-12VS JST ROHS | PHDR-12VS.pdf | |
![]() | W78L051C24DL | W78L051C24DL WINBOWD DIP-40 | W78L051C24DL.pdf | |
![]() | M50747-500SP | M50747-500SP MITSUBIS DIP64 | M50747-500SP.pdf | |
![]() | RLZ6.2B---T11 | RLZ6.2B---T11 ROHM SMD or Through Hole | RLZ6.2B---T11.pdf | |
![]() | 529010774 | 529010774 MOLEX 70P | 529010774.pdf | |
![]() | RF301B6S | RF301B6S ROHM SOT-252 | RF301B6S.pdf | |
![]() | 0-1470264-1 | 0-1470264-1 TYCO SMD or Through Hole | 0-1470264-1.pdf | |
![]() | 1766354-1 | 1766354-1 TycoElectronics SMD or Through Hole | 1766354-1.pdf | |
![]() | B65811J0000R087 | B65811J0000R087 EPC SMD or Through Hole | B65811J0000R087.pdf | |
![]() | 28F320C3TA100 | 28F320C3TA100 INTEL BGA | 28F320C3TA100.pdf | |
![]() | MJ10012G | MJ10012G ON TO-3 | MJ10012G.pdf | |
![]() | SMA5C22 | SMA5C22 MCC DO-214AC | SMA5C22.pdf |