홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 » DDTB114GC-7-F

Diodes Incorporated DDTB114GC-7-F

DDTB114GC-7-F
제조업체 부품 번호
DDTB114GC-7-F
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
데이터 시트 다운로드
다운로드
DDTB114GC-7-F 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 51.15067
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 DDTB114GC-7-F 재고가 있습니다. 우리는 Diodes Incorporated 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Diodes Incorporated 전자 부품 전문. DDTB114GC-7-F 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. DDTB114GC-7-F가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
DDTB114GC-7-F 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
DDTB114GC-7-F 매개 변수
내부 부품 번호EIS-DDTB114GC-7-F
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서DDTB (zzzz) C
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보RoHS Cert of Compliance
PCN 설계/사양Green Encapsulate 15/May/2008
Bond Wire 11/Nov/2011
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
제조업체Diodes Incorporated
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형PNP - 사전 바이어스됨
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)500mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)-
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)10k
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce56 @ 5mA, 5V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic300mV @ 2.5mA, 50mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)500nA(ICBO)
주파수 - 트랜지션200MHz
전력 - 최대200mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급 장치 패키지SOT-23-3
표준 포장 3,000
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)DDTB114GC-7-F
관련 링크DDTB114, DDTB114GC-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통
DDTB114GC-7-F 의 관련 제품
LQH43CN101K01L MURATA SMD or Through Hole LQH43CN101K01L.pdf
12069-001-ASY ON SOP 12069-001-ASY.pdf
SQ2831 ORIGINAL SMD or Through Hole SQ2831.pdf
MBRB1550CTPBF IR SOT263 MBRB1550CTPBF.pdf
PKF910212/22 ERICSSON SMD or Through Hole PKF910212/22.pdf
EL817F(B) EVERLIGHT DIP EL817F(B).pdf
M50726-248SP MITSUBIS DIP-42 M50726-248SP.pdf
XCR3384XLPQ208 ORIGINAL QFP XCR3384XLPQ208.pdf
SC11028CV SIERRA PLCC28 SC11028CV.pdf
ECA1JFQ102L PANASONIC DIP ECA1JFQ102L.pdf