창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DDTB114EC-7-F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DDTB (zzzz) C | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Green Encapsulate 15/May/2008 Bond Wire 11/Nov/2011 | |
PCN 기타 | Copper Bond Wire and Wafer Source 07/Nov/2013 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | PNP - 사전 바이어스됨 | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 500mA | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
저항기 - 베이스(R1)(옴) | 10k | |
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 10k | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 56 @ 50mA, 5V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
주파수 - 트랜지션 | 200MHz | |
전력 - 최대 | 200mW | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DDTB114EC-7-F | |
관련 링크 | DDTB114, DDTB114EC-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
VJ1825A222KBGAT4X | 2200pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1825(4564 미터법) 0.183" L x 0.252" W(4.65mm x 6.40mm) | VJ1825A222KBGAT4X.pdf | ||
TNPW251210K0FEEY | RES SMD 10K OHM 1% 1/2W 2512 | TNPW251210K0FEEY.pdf | ||
TLCS-900/L | TLCS-900/L TOSHIBA NAVIS | TLCS-900/L.pdf | ||
SMP1307-01 | SMP1307-01 VISHAY SMD or Through Hole | SMP1307-01.pdf | ||
XC18V04TMVQ44AEMC | XC18V04TMVQ44AEMC XILINX QFP | XC18V04TMVQ44AEMC.pdf | ||
KPC824L | KPC824L KODENSHI DIP-8 | KPC824L.pdf | ||
H5TQ2G43BFR-PBC | H5TQ2G43BFR-PBC HYNIX SMD or Through Hole | H5TQ2G43BFR-PBC.pdf | ||
RK73K3ATEJ562 | RK73K3ATEJ562 ORIGINAL SMD or Through Hole | RK73K3ATEJ562.pdf | ||
TC551001BFL-70V | TC551001BFL-70V TOSHIBA SOP32 | TC551001BFL-70V.pdf | ||
25CL64 | 25CL64 ATMEL SOP8 | 25CL64.pdf | ||
B37871-K5681-J62 | B37871-K5681-J62 EPCOS SMD | B37871-K5681-J62.pdf |