홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 » DDTA123TE-7-F

Diodes Incorporated DDTA123TE-7-F

DDTA123TE-7-F
제조업체 부품 번호
DDTA123TE-7-F
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523
데이터 시트 다운로드
다운로드
DDTA123TE-7-F 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 71.04233
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 DDTA123TE-7-F 재고가 있습니다. 우리는 Diodes Incorporated 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Diodes Incorporated 전자 부품 전문. DDTA123TE-7-F 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. DDTA123TE-7-F가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
DDTA123TE-7-F 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
DDTA123TE-7-F 매개 변수
내부 부품 번호EIS-DDTA123TE-7-F
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서DDTA - R1-Only Series - E
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보RoHS Cert of Compliance
PCN 설계/사양Green Encapsulate Change 09/July/2007
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
제조업체Diodes Incorporated
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형PNP - 사전 바이어스됨
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)100mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)2.2k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)-
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce100 @ 1mA, 5V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 5mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)500nA(ICBO)
주파수 - 트랜지션250MHz
전력 - 최대150mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SOT-523
공급 장치 패키지SOT-523
표준 포장 3,000
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)DDTA123TE-7-F
관련 링크DDTA123, DDTA123TE-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통
DDTA123TE-7-F 의 관련 제품
470µF 16V Aluminum Capacitors Radial, Can 4000 Hrs @ 105°C 860160374024.pdf
SST25VF016B504I-S2AF ORIGINAL SOP SST25VF016B504I-S2AF.pdf
17-21VGC/TR8(WSN) EVERLIGH N A 17-21VGC/TR8(WSN).pdf
2SK3522-01-M FUJI SMD or Through Hole 2SK3522-01-M.pdf
74AC521PC /NS NS DIP-20 74AC521PC /NS.pdf
ECJ2FB1C105M pan SMD ECJ2FB1C105M.pdf
SN74AS109ANSE4 TI SOP SN74AS109ANSE4.pdf
PBD-20R CHINA N A PBD-20R.pdf
RE2-16V331MMA-T2 ELN SMD or Through Hole RE2-16V331MMA-T2.pdf
RAY8246 ORIGINAL CAN3 RAY8246.pdf
SSS207BJ AMD CAN8 SSS207BJ.pdf