창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DDTA113ZCA-7-F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DDTA - R1 unequal to R2 Series - CA | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Green Encapsulate 15/May/2008 Bond Wire 11/Nov/2011 | |
PCN 기타 | Copper Bond Wire and Wafer Source 07/Nov/2013 | |
카탈로그 페이지 | 1574 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | PNP - 사전 바이어스됨 | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
저항기 - 베이스(R1)(옴) | 1k | |
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 10k | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 33 @ 10mA, 5V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
주파수 - 트랜지션 | 250MHz | |
전력 - 최대 | 200mW | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | DDTA113ZCA-7-FDITR DDTA113ZCA-FDITR DDTA113ZCA-FDITR-ND DDTA113ZCA7F | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DDTA113ZCA-7-F | |
관련 링크 | DDTA113Z, DDTA113ZCA-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | CW02BR5600JE70HS | RES 0.56 OHM 3.75W 5% AXIAL | CW02BR5600JE70HS.pdf | |
![]() | UT1309-502RN | UT1309-502RN CJ SMD or Through Hole | UT1309-502RN.pdf | |
![]() | A037 | A037 HP SMD or Through Hole | A037.pdf | |
![]() | 4005/AA | 4005/AA ORIGINAL DIP | 4005/AA.pdf | |
![]() | NE2000H | NE2000H PHI SOP | NE2000H.pdf | |
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![]() | C3216C0G1H562JT000N | C3216C0G1H562JT000N TDK SMD | C3216C0G1H562JT000N.pdf | |
![]() | LMX2331LSLB G | LMX2331LSLB G NS BGA | LMX2331LSLB G.pdf | |
![]() | VP21511 | VP21511 ORIGINAL PLCC84 | VP21511.pdf | |
![]() | MI-6516B/883 | MI-6516B/883 HARRAS CDIP | MI-6516B/883.pdf | |
![]() | PXB4221EV3.4 | PXB4221EV3.4 Infineon BGA27 | PXB4221EV3.4.pdf | |
![]() | XDL09-8-080S-T | XDL09-8-080S-T ANAREN SMD or Through Hole | XDL09-8-080S-T.pdf |