창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-DDR-SDRAM-BOOK | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | DDR-SDRAM-BOOK | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | SMD or Through Hole | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | DDR-SDRAM-BOOK | |
관련 링크 | DDR-SDRA, DDR-SDRAM-BOOK 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
CBR02C110J3GAC | 11pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | CBR02C110J3GAC.pdf | ||
B32912A5473M | 0.047µF Film Capacitor 530V 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.709" L x 0.315" W (18.00mm x 8.00mm) | B32912A5473M.pdf | ||
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RE0805FRE07237KL | RES SMD 237K OHM 1% 1/8W 0805 | RE0805FRE07237KL.pdf | ||
CR0402-FX-2431GLF | RES SMD 2.43K OHM 1% 1/16W 0402 | CR0402-FX-2431GLF.pdf | ||
PTN1206E2800BST1 | RES SMD 280 OHM 0.1% 0.4W 1206 | PTN1206E2800BST1.pdf | ||
H4113RBDA | RES 113 OHM 1/2W 0.1% AXIAL | H4113RBDA.pdf | ||
1086 2A | 1086 2A FAI DIP-8 | 1086 2A.pdf | ||
71V256S12YG | 71V256S12YG ORIGINAL SMD or Through Hole | 71V256S12YG.pdf | ||
SST25VF020-20-4C-S | SST25VF020-20-4C-S SST SOP8 | SST25VF020-20-4C-S.pdf | ||
TORX147PL(F) | TORX147PL(F) TOSHIBA SMD or Through Hole | TORX147PL(F).pdf | ||
S-8232AFFT-T2-G | S-8232AFFT-T2-G SII/SEIKO TSSOP-8 | S-8232AFFT-T2-G.pdf |