창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DDR-667 R/C-A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | DDR-667 R/C-A | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | Tray | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | DDR-667 R/C-A | |
| 관련 링크 | DDR-667, DDR-667 R/C-A 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | APXC4R0ARA331MH70G | 330µF 4V Aluminum - Polymer Capacitors Radial, Can - SMD 18 mOhm 1000 Hrs @ 105°C | APXC4R0ARA331MH70G.pdf | |
![]() | ECJ-1VB1E153K | 0.015µF 25V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | ECJ-1VB1E153K.pdf | |
![]() | XRCGB27M000F3G00R0 | 27MHz ±30ppm 수정 6pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | XRCGB27M000F3G00R0.pdf | |
![]() | FDMC8200S_F106 | MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8MLP | FDMC8200S_F106.pdf | |
![]() | PDV-P9003-1 | PHOTOCELL 23K-33K OHM 4.20MM | PDV-P9003-1.pdf | |
![]() | ECWU2393KC9 | ECWU2393KC9 MAT CAP | ECWU2393KC9.pdf | |
![]() | U20D35D | U20D35D MOP TO-3P | U20D35D.pdf | |
![]() | 0908NS | 0908NS Infineon TSDSON-8 | 0908NS.pdf | |
![]() | LTV-217-E | LTV-217-E LITE-ON SOP SMD or Through Hole | LTV-217-E.pdf | |
![]() | MB89F202P-G-SH-JNE1 | MB89F202P-G-SH-JNE1 FUJ DIP-32 | MB89F202P-G-SH-JNE1.pdf | |
![]() | 47-18 PH | 47-18 PH PHILIPS SOD87 | 47-18 PH.pdf | |
![]() | UPC2688M | UPC2688M NEC SMD or Through Hole | UPC2688M.pdf |