창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DDA114EK-7-F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DDA (zzzz) K | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | 2 PNP - 사전 바이어싱됨(이중) | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 10k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 10k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | - | |
| 주파수 - 트랜지션 | 250MHz | |
| 전력 - 최대 | 300mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-23-6 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-26 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DDA114EK-7-F | |
| 관련 링크 | DDA114E, DDA114EK-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | 8-1423157-8 | RELAY TIME DELAY | 8-1423157-8.pdf | |
![]() | Y16315K00000T9W | RES SMD 5K OHM 0.01% 0.3W 1506 | Y16315K00000T9W.pdf | |
![]() | HP31K332MRX | HP31K332MRX HITACHI DIP | HP31K332MRX.pdf | |
![]() | V18MLE0402 | V18MLE0402 LITTELFU SMD or Through Hole | V18MLE0402.pdf | |
![]() | SN74VHC244PW | SN74VHC244PW NXP SMD or Through Hole | SN74VHC244PW.pdf | |
![]() | DS1877T+ | DS1877T+ Maxim 28-TQFN | DS1877T+.pdf | |
![]() | BF771-E6327 | BF771-E6327 INFINEON SOT-23 | BF771-E6327.pdf | |
![]() | MFC800A | MFC800A GUERTE SMD or Through Hole | MFC800A.pdf | |
![]() | MAP168-45LES | MAP168-45LES WSI SMD or Through Hole | MAP168-45LES.pdf | |
![]() | E1108AB-6E-E | E1108AB-6E-E ORIGINAL ORIGINAL | E1108AB-6E-E.pdf | |
![]() | CC8413 | CC8413 PHI DIP | CC8413.pdf | |
![]() | SND802M | SND802M ORIGINAL DIP-8 | SND802M.pdf |