창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DCX114YH-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DDCX (zzzz) H | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Cooper Lead Frame 06/July/2007 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | 1 NPN, 1 PNP - 사전 바이어싱됨(이중) | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 10k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 47k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 68 @ 10mA, 5V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
| 주파수 - 트랜지션 | 250MHz | |
| 전력 - 최대 | 150mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-563, SOT-666 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-563 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | DCX114YH-7-ND DCX114YH-7DITR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DCX114YH-7 | |
| 관련 링크 | DCX114, DCX114YH-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | 416F2601XCST | 26MHz ±10ppm 수정 시리즈 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F2601XCST.pdf | |
![]() | F3SJ-A1660P25-TS | F3SJ-A1660P25-TS | F3SJ-A1660P25-TS.pdf | |
![]() | FX2-12V | FX2-12V ORIGINAL NULL | FX2-12V.pdf | |
![]() | SN3010220MLB | SN3010220MLB ABC SMD or Through Hole | SN3010220MLB.pdf | |
![]() | U232 | U232 FSC CAN6 | U232.pdf | |
![]() | ICL3222ECV. | ICL3222ECV. INT TSSOP-20 | ICL3222ECV..pdf | |
![]() | LMR10515XMFX | LMR10515XMFX NSC SOT-23-5 | LMR10515XMFX.pdf | |
![]() | KM4132G271BQ10 | KM4132G271BQ10 SAM PQFP | KM4132G271BQ10.pdf | |
![]() | 630V472 (0.0047UF) | 630V472 (0.0047UF) H SMD or Through Hole | 630V472 (0.0047UF).pdf | |
![]() | GF-MX4001 | GF-MX4001 NVIDIA BGA | GF-MX4001.pdf | |
![]() | TNY254 | TNY254 POWER DIP-8 | TNY254.pdf | |
![]() | RN2A685M1012M | RN2A685M1012M SAMWHA SMD or Through Hole | RN2A685M1012M.pdf |