창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-DB1S6100 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | DB1S6100 | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | DIP-4 | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | DB1S6100 | |
관련 링크 | DB1S, DB1S6100 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
![]() | MAL210119223E3 | 22000µF 100V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 11 mOhm 15000 Hrs @ 85°C | MAL210119223E3.pdf | |
![]() | B32526R6226K | 22µF Film Capacitor 200V 400V Polyester, Polyethylene Terephthalate (PET), Metallized Radial | B32526R6226K.pdf | |
![]() | DSC1001BI1-048.0000 | 48MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 7.2mA Standby (Power Down) | DSC1001BI1-048.0000.pdf | |
![]() | SIT9002AI-13N18SK | 1MHz ~ 220MHz LVPECL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 1.8V Standby | SIT9002AI-13N18SK.pdf | |
![]() | NS10155T4R7NNA | 4.7µH Shielded Wirewound Inductor 6.01A 13.2 mOhm Max Nonstandard | NS10155T4R7NNA.pdf | |
![]() | MKS1TN-10 DC110 | General Purpose Relay SPST-NO (1 Form A) 110VDC Coil Socketable | MKS1TN-10 DC110.pdf | |
![]() | ERJ-6RQJ3R9V | RES SMD 3.9 OHM 5% 1/8W 0805 | ERJ-6RQJ3R9V.pdf | |
![]() | Y1620200R000D9L | RES 200 OHM 0.4W 0.5% RADIAL | Y1620200R000D9L.pdf | |
![]() | MD27C512-15/B | MD27C512-15/B INTEL DIP | MD27C512-15/B.pdf | |
![]() | F05S15-1W | F05S15-1W MICRODC SIP | F05S15-1W.pdf | |
![]() | 745536-2 | 745536-2 AMP ORIGINAL | 745536-2.pdf | |
![]() | NCB1206B301TR070F | NCB1206B301TR070F NIC SMD or Through Hole | NCB1206B301TR070F.pdf |